1200V SiCパワーMOSFET 25ミリオームNチャンネルMOSFETトランジスタTO-247ソーラーインバーター用パッケージ

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd. 2 yrs

CN

1200V SiCパワーMOSFET 25ミリオームNチャンネルMOSFETトランジスタTO-247ソーラーインバーター用パッケージ

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主要な属性

業界特有の属性

モデル番号

AKCT25N120HB

タイプ

Mosfet

銘柄

AIKO

パッケージのタイプ

穿孔

その他属性

取付タイプ

穴を通して

説明

典型的なオン抵抗: RDS (on) = 25 Milie Ohm(typ。), 高いブロッキング電圧, 100% 雪崩テスト, 高いEASとの良好な安定性と均一性

原産地

Zhejiang, China

パッケージ/ケース

TO-247

タイプ

SiC MOSFETトランジスタ

実用温度

-40 ℃ ~ + 175 ℃

シリーズ

SiC MOSFET

適用

Switch Mode Power Supplies

サプライヤータイプ

オリジナルメーカー, Odm

メディア利用可能

データシート, 写真

品名

AKCT25N120HB 1200V SiCパワーMOSFET

電流コレクタ (Ic) (最大)

80A(TC = 25 ℃), 50A(TC = 100 ℃)

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

1225V

電流コレクタカットオフ (最大)

200A

電源-Max

428W

動作温度

-40 °C ~ 175 °C

マウンティング類

穴を通して

ドレンにソース電圧 (Vdss)

1200V

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

80A

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

45ミリオーム

Vgs (th) (最大) @ Id

4.7V

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

178nC

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4300pF

定格電流 (アンペア)

80A

電圧定格

1200V

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

2-4.7V

構成

シングル

電圧内訳 (V (BR) GSS)

1200V

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

100uA

電流ドレイン (Id)-Max

80A

抵抗 RDS (On)

25ミリオーム

電圧

1200V

電圧オフセット (Vt)

-5/+ 20v

電流谷 (Iv)

50A

電流ピーク

80A

アプリケーション

スイッチモード電源

トランジスタタイプ

SiC MOSFETトランジスタ, Nチャネル

VDSS

1200V

VGSS

-10/+ 25V

ドレイン電流 (TC = 25 ℃)

80A

ドレイン電流 (TC = 100 ℃)

50A

シングルパルス雪崩エネルギー

2560mJ

最大パワー散逸 (TC = 25 ℃)

428W

ターンオフ遅延時間

150ns

総ゲートチャージ

178nC

パルスドレイン電流

200A

アプリケーション

スイッチモード電源

包装と配送

販売単位：

単一品目

単一のパッケージサイズ：

1X3X5 cm

単一の総重量：

0.006 kg

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