650V 80A DTGN80N65 IGBT TO-247 Original Insulated Gate Bipolar Transistor compon electron bom
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製品紹介
- DTGN80N65 IGBTトランジスタは、さまざまな電子アプリケーション、特に産業および商業環境に適した高性能コンポーネントです。
- この絶縁ゲートバイポーラトランジスタはTO-247パッケージタイプを備えており、表面実装の取り付けと効率的な熱放散を可能にします。
- このデバイスは、80Aの最大連続ドレイン電流で動作するため、高電流処理が必要なアプリケーションに最適です。
- DTGN80N65トランジスタは、高電圧レベルを処理するように設計されており、最大ドレイン間電圧は650Vであり、要求の厳しい環境で信頼性の高いパフォーマンスを保証します。
- この製品は、2021年以上の日付コードで最新の業界標準を満たしており、ユーザーが提供する仕様と組み合わせて使用した場合でも、最新の電子システムおよびデバイスとの互換性を保証します。
主要な属性
業界特有の属性
モデル番号
DTGN80N65
タイプ
バイポーラトランジスタ
銘柄
N/A
パッケージのタイプ
表面実装
その他属性
説明
Transistors DTGN80N65
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-247
d/c
2021+
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
マウンティング類
スルーホール
FET タイプ
N-Channel
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
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Rds (最大) @ Id 、 Vgs
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Vgs (th) (最大) @ Id
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
リードタイム
カスタマイズオプション
pcba (最低発注数量： 1 ピース)
SMT (最低発注数量： 1 ピース)
PCB (最低発注数量： 1 ピース)
BOM (最低発注数量： 1 ピース)
サプライヤーからの製品説明
警告/免責事項
カリフォルニア州提案65消費者警告さらに表示
>= 10 ピース
JP¥14
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