説明
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
N/A
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
N/A
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
280mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
N/A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
N/A
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
N/A
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
N/A