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CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3SD絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTモジュールG75T60AK3HD G75T60AK3SDオリジナル
5.0(1 レビュー)5 点販売#1一番人気 の Igbtモジュール用トランジスタ
主要な属性
業界特有の属性
モデル番号
CRG75T60AK3HD / CRG75T60AK3SD
タイプ
バイポーラトランジスタ
銘柄
original
パッケージのタイプ
穿孔
その他属性
説明
Insulated Gate Bipolar
原産地
China
パッケージ/ケース
TO-247
d/c
newest
適用
UPS
サプライヤータイプ
小売業者
メディア利用可能
写真
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
マウンティング類
スルーホール
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET 機能
論理レベルゲート
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
Insulated Gate Bipolar
構成
単一のスイッチ
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
トランジスタタイプ
Insulated Gate Bipolar
リードタイム
サプライヤーからの製品説明
警告/免責事項
カリフォルニア州提案65消費者警告さらに表示
10 - 999 ピース
JP¥270
1000 - 4999 ピース
JP¥174
5000 - 49999 ピース
JP¥165
>= 50000 ピース
JP¥75
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