DMHC3025LSD-13パワー電界効果トランジスタMOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8ピンDMHC3025LSD-13

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CN

DMHC3025LSD-13パワー電界効果トランジスタMOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8ピンDMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13パワー電界効果トランジスタMOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8ピンDMHC3025LSD-13

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DMHC3025LSD-13パワー電界効果トランジスタMOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8ピンDMHC3025LSD-13

主要な属性

業界特有の属性

モデル番号

DMHC3025LSD-13

タイプ

Mosfet

銘柄

Original

パッケージのタイプ

表面実装

その他属性

原産地

Guangdong, China

パッケージ/ケース

8-SOIC (0.154 "、3.90mm幅)

d/c

新しい

適用

ブリッジ、ビルドインダイオード付きの4つの要素

サプライヤータイプ

オリジナルメーカー, その他

メディア利用可能

データシート, その他

電源-Max

1.5W

マウンティング類

表面実装

FET タイプ

2 Nおよび2 Pチャネル (Hブリッジ)

FET 機能

論理レベルゲート

ドレンにソース電圧 (Vdss)

30V

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

6A, 4.2A

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

25mOhm @ 5A、10V

Vgs (th) (最大) @ Id

2V @ 250µ A

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

11.7nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

590pF @ 15V

包装と配送

梱包の詳細

DMHC3025LSD-13 Power Field-Effect Transistors MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin DMHC3025LSD-13

供給能力

供給能力

1000 pcs per Day

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