シリコンカーバイドMOSFET IMW65R007M2HXKSA1新規オリジナルトランジスタシングルFETMOSFET電界効果トランジスタ
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主要な属性
業界特有の属性
モデル番号
IMW65R007M2HXKSA1
タイプ
MOSFET
銘柄
Original
パッケージのタイプ
穿孔
その他属性
説明
シリコンカーボンMOSFET
原産地
Original
パッケージ/ケース
TO-247-3
メディア利用可能
データシート
マウンティング類
スルーホール
ドレンにソース電圧 (Vdss)
650 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
171A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
6.1mOhm @ 146.3A、20V
Vgs (th) (最大) @ Id
5.6V @ 29.7mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
179 nC @ 18 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6359 pF @ 400 V
パワー出力
625W (Tc)
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
15V、20V
Vgs (最大)
+ 23V、-7V
構成
シングル
リードタイム
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