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ジキングIRF840パワーMOSFETトランジスタIRF840S

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Shenzhen Jeking Electronic Corp. 多業務専門サプライヤー 9 yrs CN
ジキングIRF840パワーMOSFETトランジスタIRF840S
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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
IRF840S
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
-

その他の属性

取付タイプ
SMD/SMT
説明
トランジスタ
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220-3
d/c
-
適用
電子
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売業者
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
Nチャネル
ドレンにソース電圧 (Vdss)
500V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
850mOhm @ 4.8A、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
63nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300pF @ 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
±20V
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
部品番号
IRF840S
Vgs (マックス)
± 20V
パワー散逸 (マックス)
3.1W (Ta) 、125W (Tc)
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
ソース電圧 (Vdss) にドレイン
500 V
ゲートチャージ (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
パッケージ/ケース
TO-236-3
入力容量 (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
取り付けタイプ
表面マウント

リードタイム

カスタマイズ

サプライヤーからの製品説明

100 - 499 ピース
JP¥299
500 - 999 ピース
JP¥268
>= 1000 ピース
JP¥252

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