MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A TO-220 FCP22N60N

Name: MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A TO-220 FCP22N60N
Brand: Guofenglin Technology (shenzhen) Co., Ltd.
SKU: 1600847864877
Price: 0.5 USD
Availability: InStock

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Guofenglin Technology (shenzhen) Co., Ltd. 2 yrs

MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A TO-220 FCP22N60N

主要な属性

業界特有の属性

モデル番号

FCP22N60N

タイプ

Mosfet

銘柄

Original Brand

パッケージのタイプ

穿孔

その他属性

説明

スランダード

原産地

Johor, Malaysia

パッケージ/ケース

TO-220-3

d/c

サプライヤータイプ

オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売業者

クロスリファレンス

メディア利用可能

データシート, 写真

品名

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

電流コレクタ (Ic) (最大)

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

電流コレクタカットオフ (最大)

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

電源-Max

周波数遷移

抵抗-ベース (R1)

抵抗-エミッタベース (R2)

FET タイプ

Nチャネル

ドレンにソース電圧 (Vdss)

600V

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

22A (Tc)

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

165mOhm @ 11A、10V

Vgs (th) (最大) @ Id

4V @ 250uA、4V @ 250uA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

45nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1950pF @ 100V

周波数

定格電流 (アンペア)

雑音指数

パワー出力

電圧定格

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

10V

Vgs (最大)

± 45V

IGBT タイプ

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

入力容量 (Cies) @ Vce

入力

NTC サーミスタ

電圧内訳 (V (BR) GSS)

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

電流ドレイン (Id)-Max

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

抵抗 RDS (On)

電圧

電圧出力

電圧オフセット (Vt)

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

電流谷 (Iv)

電流ピーク

アプリケーション

部品番号

FCP22N60N

ソース電圧へのドレイン

600V

现在の @ 25 °C

22A (Tc)

ゲートチャージ @ Vgs

45nC @ 10V

入力容量 @ Vds

4V @ 250uA

パワー散逸 (マックス)

205W (Tc)

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-220-3

包装と配送

梱包の詳細

チューブ

ポート

Hongkong/Shenzhen

供給能力

88000 pcs per Day 標準梱包

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