IGBTトライオード高出力モジュールNGM450HF120C3T1M IGBTトランジスタモジュールディスクリート半導体インバーターその他IC

Name: IGBTトライオード高出力モジュールNGM450HF120C3T1M IGBTトランジスタモジュールディスクリート半導体インバーターその他IC
Brand: Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd.
SKU: 1601231825124
Price: 198.25 USD
Availability: InStock

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Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd. 1 yr

IGBTトライオード高出力モジュールNGM450HF120C3T1M IGBTトランジスタモジュールディスクリート半導体インバーターその他IC

主要な属性

その他属性

原産地

Shanghai, China

銘柄

niusemi

モデル番号

NGM450HF120C3T1M

タイプ

1パッケージの1200V/450A 2

取付タイプ

足取り付け

説明

安定した温度

適用

パワー変换と制御

シリーズ

450N120

機能

低VCEsat低インダクタンスケース

製造日コード

20240715

VCEPreliminaryデータVCES

1200V

ICノム

450A

ICRM

900A

サプライヤーからの製品説明

1 - 89 ピース

JP¥33,710

90 - 499 ピース

JP¥33,062

500 - 999 ピース

JP¥31,632

>= 1000 ピース

JP¥30,416

バリエーション

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数量 (ピース)	1 - 1	2 - 90	91 - 500	> 500
推定時間（日）	7	15	21	交渉による