MOSFETトランジスタ23N50E 23N50 MOSFET 500V 23A TO-247インバータ電界効果

(2 レビュー)

Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd. 7 yrs

CN

MOSFETトランジスタ23N50E 23N50 MOSFET 500V 23A TO-247インバータ電界効果

MOSFETトランジスタ23N50E 23N50 MOSFET 500V 23A TO-247インバータ電界効果

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MOSFETトランジスタ23N50E 23N50 MOSFET 500V 23A TO-247インバータ電界効果

主要な属性

業界特有の属性

モデル番号

Null

タイプ

Mosfet

パッケージのタイプ

穿孔

その他属性

取付タイプ

ヌル

説明

ヌル

原産地

Jiangsu, China

パッケージ/ケース

ヌル

タイプ

ヌル

実用温度

ヌル

シリーズ

ヌル

d/c

ヌル

適用

アンプ

サプライヤータイプ

小売業者, Odm, オリジナルメーカー, 代理店

クロスリファレンス

ヌル

メディア利用可能

写真, EDA/CAD モデル, データシート

品名

ヤルン

電流コレクタ (Ic) (最大)

ヌル

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

ヌル

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

ヌル

電流コレクタカットオフ (最大)

ヌル

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

ヌル

電源-Max

ヌル

周波数遷移

ヌル

マウンティング類

穴を通して

抵抗-ベース (R1)

ヌル

抵抗-エミッタベース (R2)

ヌル

FET タイプ

ヌル

FET 機能

標準

ドレンにソース電圧 (Vdss)

ヌル

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

ヌル

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

ヌル

Vgs (th) (最大) @ Id

ヌル

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

ヌル

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

ヌル

周波数

ヌル

定格電流 (アンペア)

ヌル

雑音指数

ヌル

パワー出力

ヌル

電圧定格

ヌル

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

ヌル

Vgs (最大)

ヌル

IGBT タイプ

ヌル

構成

3 レベルインバータの IGBT 、 FET

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

ヌル

入力容量 (Cies) @ Vce

ヌル

入力

ヌル

NTC サーミスタ

ヌル

電圧内訳 (V (BR) GSS)

ヌル

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

ヌル

電流ドレイン (Id)-Max

ヌル

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

ヌル

抵抗 RDS (On)

ヌル

電圧

ヌル

電圧出力

ヌル

電圧オフセット (Vt)

ヌル

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

ヌル

電流谷 (Iv)

ヌル

電流ピーク

ヌル

アプリケーション

ヌル

トランジスタタイプ

Mosfet

タイプ

フィールド効果トランジスタ

商品名

Mosfet 23n50e

チャンネル

Nチャネル

使用方法

電子部品

条件:

新品 & 未使用、オリジナル密封

パッケージ

TO220

ブランド

ヤレン

起源の場所:

江蘇省、中国 (本土)

認定:

ISO 9000

包装と配送

梱包の詳細

Mosfet 23n50eの梱包: 箱に1000個入り、サイズは56*14 * 4cmです。
サイズ57*5000*23.5 cmのカートンに16.5個入り。チューブに20個または30個

販売単位：

単一品目

単一のパッケージサイズ：

52X15X15 cm

単一の総重量：

10.200 kg

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リードタイム

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サンプル

最大発注数量： 1 カートン

サンプル価格：

JP¥522/カートン

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1 - 9 カートン

JP¥62,595

10 - 49 カートン

JP¥62,442

50 - 99 カートン

JP¥62,289

>= 100 カートン

JP¥62,135

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