卸売GW60H65DFBトレンチゲートフィールドストップ60A650V高速HBシリーズIGBTトランジスタSTGW60H65DFB FET MOS bom
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主要な属性
業界特有の属性
モデル番号
GW60H65DFB
タイプ
Rfトランジスタ
銘柄
original
パッケージのタイプ
表面実装
その他属性
説明
IGBT Transistor
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
standard
実用温度
Standard
d/c
21+ or 22+
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売業者, Other
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル, Other
電流コレクタ (Ic) (最大)
Standard
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
Standard
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
Standard
電流コレクタカットオフ (最大)
Standard
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
Standard
電源-Max
Standard
周波数遷移
Standard
抵抗-ベース (R1)
Standard
抵抗-エミッタベース (R2)
Standard
FET タイプ
Standard
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
Standard
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
Standard
Vgs (th) (最大) @ Id
Standard
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
Standard
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
Standard
周波数
Standard
定格電流 (アンペア)
Standard
雑音指数
Standard
パワー出力
Standard
電圧定格
Standard
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
Standard
Vgs (最大)
Standard
IGBT タイプ
Standard
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
Standard
入力容量 (Cies) @ Vce
Standard
入力
Standard
NTC サーミスタ
Standard
電圧内訳 (V (BR) GSS)
Standard
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
電流ドレイン (Id)-Max
Standard
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
Standard
抵抗 RDS (On)
Standard
電圧出力
Standard
電圧オフセット (Vt)
Standard
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
Standard
電流谷 (Iv)
Standard
電流ピーク
Standard
トランジスタタイプ
N-Channel JFET
Package
TO-247
Keywords
NPN Transistor
Part Number
GW60H65DFB
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
packing
Tray, Reel, Packing foam, Box
Encapsulation
Original
Condition
Original 100%
Payment Ways
TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ Escrow
リードタイム
カスタマイズオプション
Customized logo (最低発注数量： 10,000 ピース)
Customized packaging (最低発注数量： 10,000 ピース)
Graphic customization (最低発注数量： 10,000 ピース)
サプライヤーからの製品説明
警告/免責事項
カリフォルニア州提案65消費者警告さらに表示
50 - 199 ピース
JP¥524
200 - 499 ピース
JP¥509
>= 500 ピース
JP¥503
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